住友化学は11月20日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」における「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウェハの開発」に関する事業に採択されたこと ...

ルネサスが開発したGaNパワー半導体の新製品 ルネサスエレクトロニクスは2日、窒化ガリウム（GaN）製のパワー半導体の新製品を発売したと発表した。従来のシリコン素材と比べて電力ロスが小さく、人工知能（AI）データセンターや電力インフラなど大型 ...

インフィニオンが成功した300ミリメートルのGaNウエハー パワー半導体各社が窒化ガリウム（GaN）の強化に乗り出した。電力を大量に使うAI（人工知能）データセンター（DC）の効率性を高めるべく、ルネサスエレクトロニクスや東芝デバイス＆ストレージは ...

信越化学工業は9月5日、同社が2019年に米Qromisよりライセンスを取得したGaN成長専用の複合材料基板「QST基板」をGaNパワーデバイスの社会実装に不可欠な材料であるとの判断から、今後の開発ならびに製品上市を推進していくことを発表した。 QST基板はGaNと熱 ...

ローム株式会社（本社：京都市）は、600Vクラスの高耐圧GaN HEMT駆動に適した絶縁ゲートドライバIC「BM6GD11BFJ-LB」を開発しました。本製品を組み合わせることでGaNデバイスの高周波・高速スイッチングにおける安定した駆動を実現し、モーターやサーバー電源 ...

自動車や家電に必要なパワー半導体の勢力図争いが激しくなっています。次世代品の筆頭である炭化ケイ素（SiC）は、電気自動車（EV）の普及とともに市場が拡大していましたが、そのEVが不振で急ブレーキ。大型投資を見直す動きが出てきたほか、日本では ...

OKIは、信越化学工業株式会社（東京都、代表取締役社長斉藤 恭彦、以下信越化学）と共同で、信越化学が独自改良したQST®基板(注1)からOKIのCFB®技術(注2)を用いてGaN（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し、異種材料基板へ接合する技術の開発に成功しました。

豊富なGaNポートフォリオを活用し事業拡大につなげると話す細田氏 ルネサスエレクトロニクスが、高耐圧650V対応のGaN（窒化ガリウム）パワー半導体の新製品を発売した。新たなプロセス「第4世代プラス（Gen IV Plus）」を採用し、ダイサイズを14％削減、オン ...