新開発の第8世代IGBTを搭載し、再生可能エネルギー用電源システムの低消費電力化に貢献 ＊参考画像は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用 ...

xEV向けインバータに搭載するIGBTやSiC駆動用ゲートドライバICを開発 〜絶縁耐圧 3.75kVrmsにより、1200V耐圧のパワーデバイスに対応〜 ルネサスエレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼 CEO: 柴田 英利、以下ルネサス）は、このたび、xEV（電動車）の ...

デンソーと、半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション（UMC）の日本拠点であるユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン（USJC）は5月10日、300mmウェーハでの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated ...

オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、新製品となる最新の第7世代1200V QDual3絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）パワーモジュールを発表しました。新製品のパワーモジュールは、高い電力密度を提供し、市販されている他の ...