Measuring the actual collector-emitter breakdown voltage is practically impossible without destroying the device. Therefore, BVCES is the collector-emitter voltage at which no more than the specified ...

今後見込まれるxEV市場の急拡大に伴い、車載用パワー半導体の中長期的な市場拡大に対する期待が高まっている。中でも、xEV向けパワー半導体において従来から多くの割合を占めるIGBTは、今後も需要量の増加が予想される。 この流れを受けルネサスは、IGBT ...

パワー半導体スイッチ素子は⼤きくSiベースのMOSFET/IGBT、ワイドギャップ半導体を用いたGaN HEMT/SiC MOSFETなどに分類すること ...

xEV向けインバータに搭載するIGBTやSiC駆動用ゲートドライバICを開発 〜絶縁耐圧 3.75kVrmsにより、1200V耐圧のパワーデバイスに対応〜 ルネサスエレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼 CEO: 柴田 英利、以下ルネサス）は、このたび、xEV（電動車）の ...

新開発の第8世代IGBTを搭載し、再生可能エネルギー用電源システムの低消費電力化に貢献 ＊参考画像は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用 ...

産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュール CM1800DW-24ME 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用LV100タイプ 1.2kV IGBT（※1）モジュール」のサンプル提供を2月15日に開始します。

デンソーと、半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション（UMC）の日本拠点であるユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン（USJC）は5月10日、300mmウェーハでの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated ...

2024年11月21日に、QYResearchは「車載用 IGBT ディスクリート デバイス―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2024～2030」の調査資料を発表しました。本レポートは、車載用 IGBT ディスクリート デバイスの世界市場について分析し、主な総 ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、ソフトスイッチング回路の導通性能とスイッチング性能を最大限に引き出すために最適化された650V耐圧IGBTであるSTPOWER(TM)の新製品STGWA40IH65DFおよびSTGWA50IH65DFを発表しました。両製品は、スイッチング周波 ...

皆さんこんにちは、ensen-yです。 「節子、それドロップやない。おはじきや」って火垂るの墓の作中では言ってないらしいですね。 ちなみに、この記事のタイトルは中川家礼二のモノマネで脳内再生してください。 前回の記事では、鉄道雑誌の新車紹介の ...